TRANSISTORES
Son dispositivos electrónicos semiconductores que cumplen distintas funciones tales como:
-Amplificador
-Oscilador
-Conmutador o incluso rectificador
En si el termino transistor da a entender "resistencia de transferencia" hoy día los podemos encontrar en distintos electrodomésticos tales como: radio, televisores, grabadoras, reproductores de audio y de vídeo, microondas etc.
El transistor consta de un sustrato de silicio y tres partes dopadas que en si forman dos uniones las cuales son:
- EMISOR que emite portadores
- COLECTOR que los recibe o recolecta
y finalmente la tercera que esta en medio de las dos la mas llamada BASE, el transistor es controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
FUNCIONAMIENTO
De manera simplificada, la corriente que circula por el COLECTOR es función amplificada de la que se inyecta en el EMISOR, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la BASE para que circule la carga por el COLECTOR, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de la BASE y corriente del COLECTOR, se denomina Beta del transistor. Otras cosas para tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
TIPOS DE TRANSISTORES
- TRANSISTOR PUNTA DE CONTACTO
Se basa en efectos de superficie poco conocidos consta de una base de germanio sobre la que se apoya, muy justas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. la corriente del emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre "TRANSFER RESISTOR"
- TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
Es un dispocitivo electrónico de estado solido consiste en dos uniones PN muy cercanas, que permite controlas el paso de la corriente a través de sus terminales, se usan en electrónica analógica
Es uno de los tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. hoy día son usados debido a que la movilidad del electrón se mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores para así permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Es el otro tipo de transistor bipolar con las letras "P" y "N" refiriendo ce a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. son muy pocos PNP usados ya que el como se dijo antes el tipo NPN brinda mucho mejor desempeño.
Este tipo cambia dos transistores bipolares. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente así, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración.
Este es un dispocitivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Dichos transistores han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los vareadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas.
- TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Este transistor se basa en campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor estos pueden plantearse como resistencias controladas por el voltaje. Tienen tres terminales, denominadas puerta , drenador y fuente. La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Son transistores tipo FET, en el que se remplaza el canal de conducción por una juntura en la que se unen dos materiales semiconductores con diferentes trechas entre las bandas de conducción y de valencia la cual produce una capa muy delgada conducción y de valencia, lo que produce una capa muy delgada en la cual el nivel de Fermi esta un poco por sobre la banda de conducción, por otro lado los portadores quedan confinados a una capa tan angosta que se los puede describir como un gas de electrones de dos dimensiones. Por estas dos razones los portadores de carga adquieren una muy alta movilidad y una alta velocidad de saturación, habilitándolos para reaccionar a campos que varían a muy altas frecuencias, como también reduce muy significativamente el efecto de dispersión que los átomos de dopaje producen sobre los portadores de carga rediciendo en gran medida el ruido que este dispositivo emite.
